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この装置は、 オートレース補助事業 により購入した機器です。 |
加速電圧 | 0.3 kV ~ 30 kV |
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プローブ電流 | 1 pA(ピコアンペア)~ 1.2 μA(ナノアンペア) |
写真倍率 | 5倍 ~ 300,000倍 |
二次電子分解能 | 3.0 nm(加速電圧 30 kV、高真空モード)、15.0 nm(加速電圧 1 kV、高真空モード) |
反射電子分解能 | 4.0 nm(加速電圧 30 kV、真空度 6 Pa) |
試料形状 |
(最大試料径)300 mmφ (最大高さ)130 mm (最大重量)5 kg |
試料移動 |
(範囲)X:150 mm、Y:150 mm、Z:5 ~ 85 mm (傾斜)-20 ~ 90° (回転)360° |
到達真空度 | 1.5×10-3Pa |
低真空設定範囲 | 6 ~ 650 Pa |
エネルギー分解能 | 127 eV |
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検出元素 | Be ~ Cf |
設定モード | 広域断面ミリングモード/平面ミリングモード |
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使用ガス | Ar(純度99.99 %以上) |
ミリング加速電圧 | 0 ~ 8 kV |
間欠機能 | 1秒刻み |
最大ミリングレート | 1 mm/hr以上(試料:Si、マスクエッジより 100 μm突出時) |
最大試料サイズ |
20(W)×12(D)×7(H)mm(広域断面ミリング) φ50 mm×25(H)mm(平面ミリング) |
傾斜角度 | 0 ~ 90°(平面ミリング) |
最大加工範囲 | 約φ32 mm(平面ミリング) |